Fazių valdymo tiristorius (lydinio tipas)

Apibūdinimas:

Tiristorius, taip pat žinomas kaip Silicon Control Rectifier (SCR), yra didelės galios puslaidininkinis įtaisas, susidedantis iš trijų PN struktūrų.Kalbant apie eksploatacines savybes, tiristorius turi ne tik vienkryptį laidumą, bet ir vertingesnį valdymą nei silicio lygintuvo elementas, kuris yra tik dvi laidumo būsenos ir išjungtas, valdyti didelę galią su maža galia, galios stiprinimą iki šimtų ar tūkstančius kartų.Reakcija labai greita, įsijungia ir išsijungia per mikrosekundes.Bekontaktis veikimas, nėra kibirkščių, nėra triukšmo, o didelis efektyvumas ir maža kaina.Todėl, ypač didelės galios tiekimo sistemoje, tiristorius buvo plačiai naudojamas lygintuvo grandinėje, statinio apėjimo jungiklyje, bekontakčio išėjimo jungiklyje ir kitose grandinėse.

RUNAU Electronics tiristorių gamybos standartas ir apdirbimo technologija buvo pristatyta iš JAV nuo 1980-ųjų, kaip tiristorių gamybos pradininkė Kinijoje, RUNAU techninė komanda pažangiausias žinias ir didelę gamybos patirtį įgijo daugiau nei 30 metų.Remdamiesi tradiciniu gamybos procesu, „RUNAU Electronics“ talentingi technikai sukūrė moderniausią tiristorių gamybos technologiją, pasižyminčią europietiškų produktų pranašumais, gerokai pagerinta kokybė ir našumas, daugiau didelių laimėjimų taikant galios elektroniką. laukus, o partneriams buvo sukurta daugiau vertės.

Įvadas:

1. Skiedras

RUNAU Electronics gaminamas tiristoriaus lustas yra sukepinto legiravimo technologija.Silicio ir molibdeno plokštelė buvo sukepinta, kad legiruotų grynu aliuminiu (99,999%) aukšto vakuumo ir aukštos temperatūros aplinkoje.Sukepinimo charakteristikų administravimas yra pagrindinis veiksnys, turintis įtakos tiristoriaus kokybei.„RUNAU Electronics“ žinios, be lydinio sandūros gylio, paviršiaus lygumo, lydinio ertmės valdymo, taip pat visiško difuzijos įgūdžių, centrinių užtvarų, žiedinio apskritimo modelio, buvo pritaikytos patikimam ir efektyviam tiristoriaus laidumui užtikrinti, kad būtų užtikrinti aukštos kokybės veikimą.

2. Inkapsuliavimas

Griežtai kontroliuojant molibdeno plokštelės ir išorinės pakuotės plokštumą ir lygiagretumą, lustas ir molibdeno plokštelė bus sandariai ir visiškai integruoti į išorinę pakuotę.Tai optimizuos viršįtampio srovės ir didelės trumpojo jungimo srovės atsparumą.Elektronų išgarinimo technologijos matavimas buvo naudojamas siekiant sukurti storą aliuminio plėvelę ant silicio plokštelės paviršiaus, o rutenio sluoksnis, padengtas molibdeno paviršiumi, labai padidins atsparumą terminiam nuovargiui, tiristoriaus tarnavimo laikas bus žymiai padidintas.

Techninė specifikacija

1. Fazinis valdomas tiristorius su lydinio tipo lustu, pagamintas RUNAU Electronics, I diapazonas_TAVnuo 300A iki 6000A ir V_DRM/V_RRMnuo 800V iki 4400V.
2. I_GT, V_GTir aš_Hyra bandymo vertės esant 25 ℃, jei nenurodyta kitaip, visi kiti parametrai yra bandymo vertės pagal T_jm;
3. I²t = I²F SM×tw/2, tw = sinusoidinės pusės bangos srovės pagrindo plotis.Esant 50 Hz, I²t = 0,005I²FSM(A²S);
4. Esant 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;aš²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametras: