Greito perjungimo tiristorius

Apibūdinimas:

Greito perjungimo tiristorius, turintis tą pačią fazės valdymo tiristoriaus struktūrą ir simbolį, o geresnės statinės charakteristikos, ypač dinaminės charakteristikos, reikalingos aukšto dažnio taikymui ištaisymo, kapojimo, keitiklio ir dažnio keitimo grandinėje.Dinaminiai greito tiristoriaus parametrai yra greitas įsijungimo greitis ir išsiplėtimo greitis, mažesnis atvirkštinis atkūrimo įkrovimas ir trumpas išjungimo laikas, didelis kritinis įjungimo srovės padidėjimo greitis (di/dt) ir kritinis išjungtos įtampos padidėjimas (dv/dt).Greitojo tiristoriaus vardinė srovė vardiniame dažnyje nemažėja arba šiek tiek sumažėja, kai dažnis didėja.

RUNAU Electronics greito perjungimo tiristorių gamybos standartas ir apdorojimo technologija buvo pristatyta iš JAV nuo 1980-ųjų, kaip tiristorių gamybos pradininkė Kinijoje, RUNAU techninė komanda pažangiausias žinias ir didelę gamybos patirtį įgijo daugiau nei 30 metų.Remdamiesi tradiciniu gamybos procesu, „RUNAU Electronics“ talentingi technikai sukūrė moderniausią tiristorių gamybos technologiją, pasižyminčią europietiškų produktų pranašumais, gerokai pagerinta kokybė ir našumas, pasiekta daugiau didelių laimėjimų galios elektronikos programose, ir buvo sukurta daugiau vertės partneriams.

Įvadas:

1. Skiedras

RUNAU Electronics gaminamas tiristoriaus lustas yra sukepinto legiravimo technologija.Silicio ir molibdeno plokštelė buvo sukepinta, kad legiruotų grynu aliuminiu (99,999%) aukšto vakuumo ir aukštos temperatūros aplinkoje.Sukepinimo charakteristikų administravimas yra pagrindinis veiksnys, turintis įtakos tiristoriaus kokybei.RUNAU Electronics žinios ne tik valdo lydinio sankryžos gylį, paviršiaus lygumą, lydinio ertmę, taip pat visišką difuzijos įgūdžius, žiedo apskritimo modelį, specialią vartų struktūrą.Taip pat buvo naudojamas specialus apdorojimas, siekiant sumažinti įrenginio nešiklio tarnavimo laiką, kad būtų žymiai pagreitintas vidinio nešiklio rekombinacijos greitis, sumažintas įrenginio atvirkštinis atkūrimo įkrovimas ir atitinkamai pagerintas perjungimo greitis.Tokie matavimai buvo taikomi siekiant optimizuoti greito perjungimo charakteristikas, įjungtos būsenos charakteristikas ir viršįtampio srovės savybę.Tiristoriaus veikimas ir laidumas yra patikimi ir efektyvūs.

2. Inkapsuliavimas

Griežtai kontroliuojant molibdeno plokštelės ir išorinės pakuotės plokštumą ir lygiagretumą, lustas ir molibdeno plokštelė bus sandariai ir visiškai integruoti į išorinę pakuotę.Tai optimizuos viršįtampio srovės ir didelės trumpojo jungimo srovės atsparumą.Elektronų išgarinimo technologijos matavimas buvo naudojamas siekiant sukurti storą aliuminio plėvelę ant silicio plokštelės paviršiaus, o rutenio sluoksnis, padengtas molibdeno paviršiumi, labai padidins atsparumą šiluminiam nuovargiui, o greito perjungimo tiristoriaus tarnavimo laikas bus žymiai padidintas.

Techninė specifikacija

1. Greito perjungimo tiristorius su lydinio tipo lustu, pagamintas RUNAU Electronics, I asortimentas_TAVnuo 200A iki 4000A ir V_DRM/V_RRMnuo 1200V iki 4500V.
2. I_GT, V_GTir aš_Hyra bandymo vertės esant 25 ℃, jei nenurodyta kitaip, visi kiti parametrai yra bandymo vertės pagal T_jm;
3. I²t = I²F SM×tw/2, tw = sinusoidinės pusės bangos srovės pagrindo plotis.Esant 50 Hz, I²t = 0,005I²FSM(A²S);
4. Esant 60 Hz: I_FSM(8,3 ms) = I_FSM(10 ms) × 1,066,T_j=T_j;aš²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parametras: